IBM은 위상변화 기억장치(PCM,Phase-Change Memory)의 두 가지 문제점을 해결해 이 기술을 2016년 서버의 데이터 스토리지 장치로 사용할 수 있는 준비를 갖췄다고 공표했다.

 

IBM 연구진은 IEEE 국제 메모리 워크샵 제출 논문을 통해 두 비트 데이터를 하나의 PCM으로 압축하는 방법과 많은 데이터가 저장될 때 발생할 수 있는 데이터 저장 오류 드리프트(Drift) 문제를 피하는 실용적 방법을 개발했음을 발표했다.

 

 

PCM은 현재 주기억장치의 DRAM 만큼 빠르지는 않지만 현재 플래시(flash) 메모리보다 100배 빠르며 실제 사용을 의해 2비트 멀티 레벨 스토리지 및 드리프트 오차의 개선이 해결되어져  2016년에는 서버 기억 장치로 경쟁력을 갖을 것이라는 게 IBM의 전망이다. 

 

"소비자 시장에서 가장 중요한 속성은 비트 당 비용이다. 또한 엔터프라이즈 응용 프로그램에서 가장 중요한 속성은 처리 속도 있어 초당 트랜잭션이 가장 큰 메인 메모리에 가장 가까이에 PCM 장치가 위치하고 있다" 라고 논문 저자 중 한 명인 해리스 퍼지디스(Harris Pozidis)가 말했다.

 

PCM에 대한 연구는 IBM 이외 메모리 제조사 삼성, 하이닉스, 마이크론(Micron)과 인텔(Intel) 등 여러 반도체 회사들이 수행하고 있다. 그리고 대학교에서도 이에 대한 연구를 진행하고 있다. 두 가지 최근 사례를 보면 스탠포드 대학은 PCM 셀(cell)을 압축하기 위해 탄소 나노튜브를 사용하는 기술을 개발하고 있으며, 캘리포니아 샌디에고 대학 연​​구팀은 오닉스(Onyx)라는 10 기가바이트 PCM 스토리지 드라이브 프로토타입을 제작하기도 했다.

 

PCM은 아주 오랜 전 인텔 공동 창립자 고든 무어(Gordon Moore)가 1970년 논문에 그 아이디어를 저술한 바 있다. 이후 인텔은 이 기술을 설명하는 용어로 오비닉스(ovonics)를 사용했고  PCRAM 및 CRAM(chalcogenide RAM) 등으로 불리다 PCM 이름으로 명명되었다.

 

IBM이 계획하는 서버용 PCM은 2016 년 상용 제품이 나오겠지만 다른 요인들로 인해 PCM 시장이 보다 빠르게 진행될 가능성도 크다. 이는 휴대폰에 사용하기 위해 삼성이 "NOR" 플래시 메모리의 대체품으로 PCM 칩을 팔고 전망이어서 이런한 모바일 장치들이 PCM 장착이 PCM 메모리 보급을 가속화 시킬 수 있다.

 

그러나 주된 시장은 현재의 플래시 메모리 SSD(Solid State Disks)를 대체하는 용도로Tj 플래시 메모리는 30,000 번의 쓰기(write) 사이클에서 성능 저하가 발생하기 시작하는 반면 PCM은 1천만번 쓰기를 견딜 수 있다고 IBM 은 밝혔다.
  
반면 IBM은 PCM이 DRAM 을 대체할 것으로 기대하고 있지 않고  PCM을 캐시(cache) 메모리로 활용해 DRAM 성능을 더욱 향상시킬 것으로 보고 있 자신들이 칩을 직접 제조하는 대신 다른 업체로의 PCM 기술 라이센스를 계획하고 있다는 PCM에 대한 사업 입장을 알렸다.

베타뉴스 윤 경 (ykc1359@gmail.com)
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