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2013년형 SSD, 20nm대 낸드 플래시로 ‘기술 대결’ 벌이나


  • 최용석
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    입력 : 2012-10-30 19:07:08

    하드디스크드라이브(HDD)의 뒤를 이어 차세대 저장장치로 주목받고 있는 SSD(Solid State Drive)는 하드디스크보다 용량은 작지만 2~3배 이상 빠른 검색 및 전송속도가 가장 큰 장점이다.

     

    특히 기존 하드디스크보다 훨씬 작고 얇게 만들 수 있고 소비전력도 훨씬 낮아 하드웨어 마니아들은 물론, 일반 소비자들의 관심도 최근들어 부쩍 늘었다. 그런 SSD 시장에 ‘20nm(나노미터)’ 바람이 거세다.

     

    ‘20nm’란 SSD의 핵심 부품인 낸드 플래시(NAND Flash) 메모리의 제조 공정의 선 폭을 나타내는 말이다.

     

    반도체의 특성 상 공정 선 폭이 작을수록 대량 생산에 유리해 가격을 낮출 수 있음은 물론, 소비전력을 낮추면서 성능은 더욱 끌어올릴 수 있다. 따라서 공정 선 폭을 줄이는 것은 모든 반도체 제조사들의 가장 큰 숙제이며, 기술력을 드러내는 척도이기도 하다.

     

    최근 삼성전자가 신형 SSD인 ‘840 시리즈’를 대대적으로 발표했다. 기존 ‘830 시리즈’의 후속 제품인 840 시리즈는 메모리 전문 제조사라는 특징을 최대한 살려 20nm 초반대 공정을 적용한 낸드플래시를 탑재했다.

     

    20nm 초반대 공정 기반 낸드플래시를 탑재한 삼성 840시리즈는 발표 이후 업계 최고 수준의 성능을 뽐내며 벌써부터 2013년 SSD 시장의 기대주로 떠오른 상황이다. 삼성은 이번 840 시리즈를 바탕으로 OEM 시장 뿐만 아니라 일반 리테일 시장 공략을 강화할 방침이다.

     

    ▲ 삼성과 인텔의 20nm대 공정 기반 낸드플래시 탑재 SSD 제품군

     

    삼성과 함께 3대 SSD 브랜드 중 하나로 꼽히는 인텔 역시 가만히 있지 않았다. 30일 출시를 밝힌 최신모델 ‘인텔 SSD 335 시리즈’도 직접 만든 20nm급 공정을 적용한 낸드 플래시를 탑재한 것.

     

    인텔 SSD 335 시리즈는인텔과 마이크론의 합작사인 IMFT(IM Flash Technologies)에서 개발한 최신 20nm 낸드 플래시 메모리를 채택한 첫 번째 SSD로, 새로운 셀 구조를 채택해 기존 25nm급 안정성을 제공함과 더불어 역시 업계 최고 수준의 고성능을 구현했다는 것이 인텔 측의 설명이다.

     

    이들 20nm대 공정에 기반한 낸드 플래시 탑재 SSD들이 11월부터 시장에 풀리기 시작하면서 내년인 2013년의 주력으로 자리매김할 전망이다. 특히 마이크로소프트의 최신 운영체제 ‘윈도우 8’가 곧 출시될 전망이어서 SSD를 탑재한 노트북이나 태블릿 PC에 대한 수요도 크게 늘어날 조짐이다.

     

    이에 따라 시장 점유율을 높이기 위한 SSD 제조사들의 경쟁 또한 더욱 치열해 지면서 ‘20nm대 공정 도입’을 앞세운 SSD 대표 제조사들의 기술 대결도 더욱 심화될 것으로 보인다.


    베타뉴스 최용석 (rpch@betanews.net)
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